当地时间3日，《日经亚洲》援引知情人士消息称，在全球存储芯片供应严重短缺的背景下，中国两大头部存储芯片制造商——长鑫存储、长江存储▪△，正紧抓缩小与市场领导者差距的黄金机遇，启动史上最大规模的扩张计划。

　　据消息人士透露◇，作为中国最大的动态随机存取存储器（DRAM）厂商，长鑫存储正在上海扩建工厂，新增总产能将达到其合肥总部基地的两至三倍。

　　上述人士称◁★，上海新厂将生产面向服务器▷◇▷、计算机、汽车电子及其他电子产品的DRAM▪□■，设备安装计划于2026年下半年启动□，2027年正式投产…★◆；同时，该公司还在上海扩建高带宽存储器（HBM）生产线☆=■。HBM是人工智能领域的核心组件。

　　一位知情人士表示，长鑫存储在合肥、北京的两处工厂已处于满负荷运转状态◁△，“本土企业需求极为旺盛，公司希望尽快扩大产能。”

　　与此同时，总部位于武汉的中国头部闪存（NAND）厂商长江存储也在当地建设第三座工厂，计划于2027年投产△△…。

　　据消息人士所说，长江存储已明确新厂产能规划，除生产NAND外，50%产能将用于DRAM制造▼◆…；同时还将与本土存储封装企业合作•★，为人工智能计算场景研发生产HBM。

　　三名消息人士向《日经亚洲》透露，长江存储已通过采用成熟制程设备生产存储芯片○▼，在很大程度上突破了外国出口管制对芯片制造设备的限制，且已完成自主DRAM产品的研发工作。

　　▼★“长江存储两年多前就启动自主DRAM研发□▲，具备扎实的技术基础和市场支撑，未来量产高品质DRAM与HBM只是时间问题□▪□。”一位为长江存储供货的消息人士说道。

　　多名业内高管告诉日媒，中国存储芯片制造商的扩张将主要服务于国内需求○▪•。截至目前☆=◁，两家公司暂未对此做出回应●。

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